江海，2017年获北京大学博士学位，并于2015年至2016年期间在美国Purdue University担任访问学者。2017年8月加入韩国三星电子foundry business事业部从事先进技术节点半导体器件可靠性研究。2021年7月加入海思半导体DFR团队从事器件和设计可靠性技术相关工作。截至目前，江海博士共发表论文超过30篇，其中包括IEEE EDL、TED、VLSI、IEDM等期刊和会议论文。

精彩回顾

讲座中，江海博士为大家介绍了半导体器件的发展历程、当下遇到的问题和未来的探索思考。

江博士先深入浅出地用导带和价带介绍了绝缘体、导体、半导体这三者的区别。此外，江博士还着重讲述了MOSFET、TDDB、HCI、BTI这几种半导体器件的发展历程、工作原理和可靠性问题。最后，江博士结合自己的行业经验，提出了对半导体未来的四点探索思考：1.MOSFET半导体缩小放缓后，器件持续创新的动力问题；2.未来MOSFET半导体中的新材料、新结构及新机制问题；3.新性Memory和计算一体架构和AI芯片新结构问题；4.未来三维集成技术，3DIC技术和SIP技术发展问题。